产品Silicon Materials, Inc. 提供多种规格的晶圆及相关服务，满足半导体行业的不同需求。晶圆制造过程完全透明。所有晶圆生产从初始的多晶硅批次到最终包装均可追溯。产品的稳定性源于对整个制造周期的严格控制。
主要原材料：采用美国生产的原生半导体级多晶硅。晶圆产品CZ（直拉法）晶圆尺寸范围：50.8mm 至 450mm类型：优质晶圆（Prime）和测试晶圆（Test）FZ（浮区法）晶圆尺寸范围：50.8mm 至 150mm类型：优质晶圆（Prime）掺杂类型硼（Boron）、磷（Phosphorous）、锑（Antimony）、砷（Arsenic）未掺杂 CZ 晶圆（Undoped CZ）本征晶圆（Intrinsic）晶向标准晶向：<100>、<111>、<110>、<112>可根据客户需求提供定制切割规格厚度和几何参数符合 SEMI 标准或客户指定要求当前能力：大多数直径的晶圆厚度范围为 250 – 1800 微米质量控制所有晶圆均由 SMI 生产或由 SMI 认证/担保的供应商提供定制薄膜和服务提供定制薄膜沉积服务，满足特定应用需求。其他相关服务可根据客户需求定制。优势高质量：严格的质量控制和生产流程，确保产品一致性。灵活性：支持客户定制需求，包括尺寸、掺杂、晶向和厚度。可靠性：所有产品均可追溯，确保透明度和可信度。2 英寸（50.8毫米）硅晶圆规格材料特性参数特性ASTM 控制方法生长方法直拉法（Cz）、浮区法（Fz）–类型/掺杂P 型 – 硼（Boron） N 型 – 磷（Phosphorous） N 型 – 锑（Antimony） N 型 – 砷（Arsenic） 未掺杂（Undoped）F42晶向<100>、<111>、<110>，可根据客户要求提供切割方向（slice ON 或 slice OFF）F26氧含量10-19 ppmA，可根据客户要求提供定制公差F121碳含量< 1.0 ppmA，可根据客户要求提供定制公差F123电阻率范围– P 型（硼）：0.001 – 50 欧姆·厘米 – N 型（磷）：0.1 – 40 欧姆·厘米 – N 型（锑）：0.005 – 0.025 欧姆·厘米 – N 型（砷）：< 0.005 欧姆·厘米F84机械特性参数Prime APrime BTestASTM 方法直径2″ ± 0.008″2″ ± 0.008″2″ ± 0.015″F2074厚度279 ± 20 µm（标准） 381 ± 20 µm 450 ± 20 µm 500 ± 20 µm 750 ± 20 µm 1000 ± 20 µm279 ± 25 µm（标准） 381 ± 25 µm 450 ± 25 µm 500 ± 25 µm 750 ± 25 µm 1000 ± 25 µm279 ± 25 µm（标准） 381 ± 25 µm 450 ± 25 µm 500 ± 25 µm 750 ± 25 µm 1000 ± 25 µmF533TTV（总厚度变化）< 5 µm< 10 µm< 15 µmF657弯曲度（Bow）< 38 µm< 38 µm< 38 µmF534翘曲度（Warp）< 38 µm< 38 µm< 38 µmF657边缘倒角符合 SEMI 标准––F928标记仅主 SEMI 平边，提供 SEMI 标准平边、缺口或圆形边缘F26, F671表面质量参数Prime APrime BTestASTM 方法正面标准表面状态化学机械抛光（CMP）––F523表面粗糙度< 2 Å< 2 Å< 2 Å–污染颗粒（>0.3 µm）< 15< 15< 15F523雾度、凹坑、橘皮无无无F523锯痕、条纹无无无F523背面标准裂纹、锯痕、污渍无无无F523表面状态碱蚀刻––F523包装选项包装类型包装袋描述2 部分晶圆盒，2 袋透明立体袋，A/S 蓝色平袋3 部分晶圆盒，2 袋透明立体袋，A/S 蓝色平袋单晶圆运输盒，3 袋透明立体袋，铝制立体袋，A/S 蓝色平袋备注所有规格可根据客户需求进行调整。提供符合 SEMI 标准或客户指定要求的定制服务。 Silicon Materials 优质晶圆 多晶硅 定制晶圆 定制薄膜 晶圆 测试晶圆 硅晶圆 硅晶片 硅片